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品牌
DRAM类型
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工作电压
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产品详情
H5AN8G6NDJR-XNCR
DDR4
DRAM DDR4
SK HYNIX/海力士
BGA-96
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H5AN8G6NDJR-XNC
8Gb
x16
3200Mbps
1.2V
0°C~85°C
FCBGA-96
Mass Production
H5AN8G6NCJR-XNC
H5AN8G6NCJR-VKC
2666Mbps
H5AN4G8NBJR-VKC
4Gb
x8
H5AN4G6NBJR-VKC
M321RYGA0BB0-CQK
DDR5
SAMSUNG三星
96 GB
2R x 4
4800 Mbps
1.1 V
(4G x 4) x 40
MTC40F204WS1RC56BBZ
MICRON美光
M321RYGA0PB0-CWM
5600 Mbps
K4RAH086VE-BCWM0VM
K4RAH086VP-BCWM000
16 Gb
2G x 8
0 ~ 85 °C
82 FBGA
K4RAH086VB-BCWMT00
K4RAH165VB-BCQK
1G x 16
106 FBGA
M321RAGA0B20-CWK
DRAM DDR5
SAMSUNG/三星
128GB
4800Mbps
1.1V
BGA-288
RDIMM
4R x 4
(2H 3DS 8G x 4) x 40
M321R2GA3BB6-CQK
16 GB
1R x 8
(2G x 8) x 10
MTC20F2085S1RC56BD1
32GB
2G x8
2800MHz
0C to +95C
7.50 x 11.00 x 1.00 VFBGA
Production
5600MTPS
CL = 46
MODULE
ROHS:true
M321R4GA3BB6-CQK
32 GB
2R x 8
(2G x 8) x 20
M321R4GA3PB0-CWM
M321R4GA3EB2-CCP
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