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DRAM类型
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速率
工作电压
工作温度
产品详情
MT53E2G32D4NQ-046 WT:C
LPDDR4
DRAM LPDDR4
MICRON/美光
64Gb
x32
-25°C~85°C
FBGA
D8BQX
点击查看
MT53E2G32D4NQ-046 WT:A
D9ZCL
MT53E1G32D4NQ-046 WT:E
32Gb
1Gx32
4266Mbps
1.1 V
-30°C~85°C
VFBGA-200
Production
MT53E1G32D2NP-046 WT:A
D9ZCK
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:E
16Gb
512Mx32
3733Mbps
1.1V
BGA
NT6AN256T32AV-J1
Nanya/南亚
8Gb
4267Mbps
-30C~105C
200-ball FBGA
Developing
Commercial
低功率行动DRAM-LPDDR4
MT53E512M32D2NP-046 WT:E
FBGA-200
NT6AN512T32AV-J2
MT53D512M64D4HR-053 WT:D
x64
TSOP
D9VKN
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR
WFBGA-200
MT53D512M32D2DS-053 WT:D
D9WHZ
MT53D1024M32D4DT-053 WT:D
MT53E256M32D2DS-053 WT:B
3733 Mb/s
1.8V/1.1V/1.1V
10mm×14.5mm×0.8mm
D9WRB
H9HCNNN8KUMLHR-NLNR
SK hynix/海力士
1GB
3200Mbps
1.8V / 1.1V / 1.1V
200Ball
MP
K4FHE3D4HM-MHCJ
SAMSUNG/三星
24Gb
1.8/1.1/1.1V
-40℃~105℃
EOL
K4F8E3S4HD-MGCL
Mass Production
K4F6E3S4HB-KHCL
16 Gb
4266 Mbps
1.8 / 1.1 / 1.1 V
-40 ~ 105 °C
200 FBGA
H9HCNNNBKUMLHR-NMO
SK HYNIX/海力士
2GB
x16
H9HKNNNFBMMVAR-NEH
H9HCNNNDAMMLHR-NEE
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