型号 | H5AN8G6NCJR-VKC |
类别 | DRAM DDR4 |
厂商 | SK HYNIX/海力士 |
容量 | 8Gb |
架构 | x16 |
速率 | 2666Mbps |
工作电压 | 1.2V |
工作温度 | 0°C~85°C |
封装/外壳 | FCBGA-96 |
生产状态 | Mass Production |
包装方式 | |
封装尺寸 | |
页-尺寸 | |
块-尺寸 | |
版本 | |
技术节点 | |
接口 | |
级别 | |
FGBA代码 | |
功率 | |
Mono-Density | |
Cycle Time | |
Part Family | |
Model Name | |
DRAM Density | |
DRAM Mode | |
Part Status | |
Type | |
型号 | |
随机写入 | |
顺序读取 | |
顺序写入 | |
随机读取 | |
DIMM 类型 | |
内存区块组织 | |
组件成分 | |
eStorage 密度 | |
DRAM 密度 | |
DRAM 类型 |
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